DMN2300UFB4-7B - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMN2300UFB4-7B
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	64.3pF @ 25V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	X2-DFN1006-3
Paket / Fall	3-XFDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMN2300U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23	Einzelheiten
DMN2300UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN	Einzelheiten
DMN2300UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN	Einzelheiten
DMN2300UFD-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN	Einzelheiten
DMN2300UFL4-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN	Einzelheiten
DMN2320UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3	Einzelheiten