| Artikelnummer | DMN2022UNS-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.7A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 10V |
| Leistung max | 1.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMN2004DMK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
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