| Artikelnummer | DMN2008LFU-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 14.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250A |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1418pF @ 10V |
| Leistung max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMN2004DMK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
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DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | Einzelheiten |
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DMN2004DWK | DIODES | DMN2004DWK DIODES SOT363 New Original Stocks | Einzelheiten |
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DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 | Einzelheiten |
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DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | Einzelheiten |
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DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | Einzelheiten |
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DMN2004K-7-F | DIODESINCORPORATED | DMN2004K-7-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks | Einzelheiten |
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DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | Einzelheiten |
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DMN2004VK | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
