DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN2004WKQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
562500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1159/pcs
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DMN2004WKQ-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN2004WKQ-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 540mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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