DMN15H310SK3-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMN15H310SK3-13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	32W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 1.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252, (D-Pak)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	DMN15H310SE-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223	Einzelheiten
	DMN15H310SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 150V 8.3A TO252	Einzelheiten