DMN1250UFEL-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMN1250UFEL-7
Teilstatus	Active
FET Typ	8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 6V
Leistung max	660mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	12-UFQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	U-QFN1515-12
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	DMN1250UFEL-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1	Einzelheiten
	DMN1260UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3	Einzelheiten