DMMT5551S-7-F

DMMT5551S-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMMT5551S-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMMT5551S-7-F PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
90000 pcs
Referenzpreis
USD 0.099/pcs
Unser Preis
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DMMT5551S-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMMT5551S-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Matched Pair
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 160V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Leistung max 300mW
Frequenz - Übergang 300MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-26
Gewicht -
Ursprungsland -

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