DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMJ70H600SH3
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15361 pcs
Referenzpreis
USD 1.6675/pcs
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DMJ70H600SH3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMJ70H600SH3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 643pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 113W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Fall TO-251-3, IPak, Short Leads
Gewicht -
Ursprungsland -

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