DMG4822SSDQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMG4822SSDQ-13
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	478.9pF @ 16V
Leistung max	1.42W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SO
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMG4800LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	Einzelheiten
DMG4800LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 10A TO252	Einzelheiten
DMG4800LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO	Einzelheiten
DMG4812SS	DIODES	DMG4812SS DIODES SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
DMG4812SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Einzelheiten
DMG4822SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO	Einzelheiten
DMG4822SSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8	Einzelheiten