DMG1013UWQ-7 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMG1013UWQ-7 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
820mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
0.62nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
59.76pF @ 16V |
Vgs (Max) |
±6V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
310mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
750 mOhm @ 430mA, 4.5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-323 |
Paket / Fall |
SC-70, SOT-323 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMG1013UWQ-7