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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DDTC114TE-7
DDTC114TE-7

DDTC114TE-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DDTC114TE-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DDTC114TE-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3736 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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DDTC114TE-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DDTC114TE-7
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-523
Lieferantengerätepaket SOT-523
Gewicht -
Ursprungsland -

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