Artikelnummer | DDTB114EC-7-F |
---|---|
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |