BS170PSTOA

BS170PSTOA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
BS170PSTOA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4047 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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BS170PSTOA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BS170PSTOA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 625mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible)
Paket / Fall E-Line-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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