BCW66HTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer	BCW66HTA
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	20nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Leistung max	330mW
Frequenz - Übergang	100MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BCW 66F E6327	Infineon Technologies	TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23	Einzelheiten
BCW 66G E6327	Infineon Technologies	TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23	Einzelheiten
BCW 66H B6327	Infineon Technologies	TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23	Einzelheiten
BCW 66H E6327	Infineon Technologies	TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23	Einzelheiten
BCW 66KG E6433	Infineon Technologies	TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23	Einzelheiten
BCW 67A E6327	Infineon Technologies	TRANS PNP 32V 0.8A SOT-23	Einzelheiten
BCW29	PHILIPS	BCW29 PHILIPS SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
BCW29,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP 32V 0.1A SOT23	Einzelheiten
BCW29,235	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP 32V 0.1A SOT23	Einzelheiten
BCW29LT1	LRC	General Purpose Transistors(PNP Silicon)	Einzelheiten