BC856ASQ-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer	BC856ASQ-7-F
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	65V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	125 @ 2mA, 5V
Leistung max	200mW
Frequenz - Übergang	100MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BC850	RECTRON	SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons	Einzelheiten
BC850A	PANJIT	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS	Einzelheiten
BC850AMTF	Fairchild/ON Semiconductor	TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23	Einzelheiten
BC850AW	PANJIT	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS	Einzelheiten
BC850AW RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A 110A	Einzelheiten
BC850B	PANJIT	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS	Einzelheiten
BC850B,215	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	Einzelheiten
BC850B,235	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23	Einzelheiten
BC850B215	NXP	BC850B215 NXP SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
BC850BE6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23	Einzelheiten