2DB1132R-13 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
2DB1132R-13 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
32V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
500mV @ 50mA, 500mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
180 @ 100mA, 3V |
Leistung max |
1W |
Frequenz - Übergang |
190MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-243AA |
Lieferantengerätepaket |
SOT-89-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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