| Artikelnummer | 1N4448WSQ-7-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 250mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2.5µA @ 75V |
| Kapazität @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-323 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N4444-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | Einzelheiten |
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1N4446 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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1N4446 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | Einzelheiten |
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1N4446 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | Einzelheiten |
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1N4446TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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1N4446_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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1N4447 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | Einzelheiten |
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1N4447TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | Einzelheiten |
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1N4448 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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1N4448 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | Einzelheiten |
