CY7C1319KV18-250BZC

CY7C1319KV18-250BZC - Cypress Semiconductor Corp

Artikelnummer
CY7C1319KV18-250BZC
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
CY7C1319KV18-250BZC PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
8490 pcs
Referenzpreis
USD 21.55728/pcs
Unser Preis
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CY7C1319KV18-250BZC detaillierte Beschreibung

Artikelnummer CY7C1319KV18-250BZC
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Taktfrequenz 250MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15)
Gewicht -
Ursprungsland -

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