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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › CY7C10612GN30-10ZSXI
CY7C10612GN30-10ZSXI

CY7C10612GN30-10ZSXI - Cypress Semiconductor Corp

Artikelnummer
CY7C10612GN30-10ZSXI
Hersteller
Cypress Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
ASYNC SRAMS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
CY7C10612GN30-10ZSXI PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
257 pcs
Referenzpreis
USD 105.7795/pcs
Unser Preis
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CY7C10612GN30-10ZSXI detaillierte Beschreibung

Artikelnummer CY7C10612GN30-10ZSXI
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchronous
Speichergröße 16Mb (1M x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 10ns
Zugriffszeit 10ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.2 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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