CMF10120D detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
CMF10120D |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
24A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 500µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
47.1nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
928pF @ 800V |
Vgs (Max) |
+25V, -5V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
134W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
220 mOhm @ 10A, 20V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 135°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-247 |
Paket / Fall |
TO-247-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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