D105F331FO3F - Cornell Dubilier Electronics (CDE)

Artikelnummer	D105F331FO3F
Teilstatus	Active
Kapazität	330pF
Toleranz	±1%
Spannung - Bewertet	500V
Dielektrisches Material	Mica
Betriebstemperatur	-55°C ~ 125°C
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	Radial
Abstand zwischen den Elektroden	0.142" (3.60mm)
Eigenschaften	General Purpose
Größe / Dimension	0.390" L x 0.220" W (9.90mm x 5.60mm)
Höhe - Sitzend (Max)	0.382" (9.70mm)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
D105	MPD	Single & Dual Output Miniature, 1W SIP DC/DC Converters	Einzelheiten
D1050N12TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A	Einzelheiten
D1050N14TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 1.4KV 1050A	Einzelheiten
D1050N16TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 1.6KV 1050A	Einzelheiten
D1050N18TXPSA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 1.8KV 1050A	Einzelheiten
D1053	SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET	Einzelheiten
D1053UK	SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET	Einzelheiten
D105E	MPD	Low Cost, 1W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters	Einzelheiten
D105EHI	MPD	Low Cost, Miniature SIP 1W, Very High Isolation DC/DC Converters	Einzelheiten
D105EI	EXSHINE	Low Cost, 1W High Isolation SIP DC/DC Converters	Einzelheiten