GBL06-G - Comchip Technology

Artikelnummer	GBL06-G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 4A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 600V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-SIP, GBJ
Lieferantengerätepaket	GBJ
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GBL005	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 4A GBL	Einzelheiten
GBL005 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Einzelheiten
GBL005-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Einzelheiten
GBL005-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Einzelheiten
GBL005HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Einzelheiten
GBL005_1	TSC	Single Phase 4.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	Einzelheiten
GBL01	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 4A GBL	Einzelheiten
GBL01 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL	Einzelheiten
GBL01-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Einzelheiten
GBL01-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Einzelheiten