GBJ2508-G - Comchip Technology

Artikelnummer	GBJ2508-G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	25A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 12.5A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 800V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-SIP, GBJ
Lieferantengerätepaket	GBJ
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GBJ10005	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ	Einzelheiten
GBJ10005-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBJ	Einzelheiten
GBJ10005-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ	Einzelheiten
GBJ10005-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 10A 50V GBJ	Einzelheiten
GBJ10005TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ	Einzelheiten
GBJ10005_1	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	Einzelheiten
GBJ1001	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 10A GBJ	Einzelheiten
GBJ1001-BP	Micro Commercial Co	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ	Einzelheiten
GBJ1001-F	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 10A 100V GBJ	Einzelheiten
GBJ1001TB	SMC Diode Solutions	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ	Einzelheiten