DB106-G - Comchip Technology

Artikelnummer	DB106-G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 800V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Lieferantengerätepaket	DB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DB1	Carlo Gavazzi Inc.	BRACKET 30 MM	Einzelheiten
DB100	SURGE	DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE-50 to 1000 Volts	Einzelheiten
DB101	Micro Commercial Co	RECTIFIER BRIDGE 1A 50V DB-1	Einzelheiten
DB101-BP	Micro Commercial Co	RECTIFIER BRIDGE 1A 50V DB-1	Einzelheiten
DB101-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1A 50V DB	Einzelheiten
DB101-S	LRC	1.0A DIP & SMD BRIDGE RECTIFIERS	Einzelheiten
DB1010	SURGE	DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE-50 to 1000 Volts	Einzelheiten
DB1012S	RECTRON	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER	Einzelheiten
DB101G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 1A DB	Einzelheiten
DB101LS	RECTRON	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere	Einzelheiten