2N3906-G - Comchip Technology

Artikelnummer	2N3906-G
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 100mA, 1V
Leistung max	-
Frequenz - Übergang	250MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket	TO-92
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2N3001	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3002	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3003	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3004	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3005	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3006	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3007	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3008	CENTRAL	0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts	Einzelheiten
2N3009	CENTRAL	Small Signal Transistors	Einzelheiten
2N3011	CENTRAL	Small Signal Transistors	Einzelheiten