CWDM3011N TR13 - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CWDM3011N TR13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 15V
Vgs (Max)	20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CWDM3011N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	Einzelheiten
CWDM3011P TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC	Einzelheiten
CWDM305N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC	Einzelheiten
CWDM305ND TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC	Einzelheiten
CWDM305P TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC	Einzelheiten
CWDM305PD TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC	Einzelheiten