CMUDM7004 TR - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CMUDM7004 TR
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	450mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.79nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 25V
Vgs (Max)	8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-523
Paket / Fall	SOT-523
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CMUD2836	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Einzelheiten
CMUD2838	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Einzelheiten
CMUD2838 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT523	Einzelheiten
CMUD4448	CENTRAL	ULTRAmini. HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Einzelheiten
CMUD4448 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT523	Einzelheiten
CMUD6263AE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Einzelheiten
CMUD6263CE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Einzelheiten
CMUD6263E	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Einzelheiten
CMUD6263SE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Einzelheiten
CMUD7000	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL SERIES HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Einzelheiten