CMLDM8002AG TR - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CMLDM8002AG TR
Teilstatus	Active
FET Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	280mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 25V
Leistung max	350mW
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket	SOT-563
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CMLDM3737 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563	Einzelheiten
CMLDM3757 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N/P-CH 20V SOT563	Einzelheiten
CMLDM5757 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563	Einzelheiten
CMLDM7002A	CENTRAL	SURFACE MOUNT PICOmini DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	Einzelheiten
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CMLDM7002AG TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563	Einzelheiten
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CMLDM7002AJ TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563	Einzelheiten
CMLDM7003	CENTRAL	SURFACE MOUNT PICOminiTM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	Einzelheiten
CMLDM7003 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563	Einzelheiten