CDM7-600LR TR13 - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CDM7-600LR TR13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
Vgs (Max)	30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	60W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	580 mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	CDM7-600LR TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 7A 600V DPAK	Einzelheiten
	CDM7-650 TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 7A 650V DPAK	Einzelheiten