| Artikelnummer | 2N4416A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 35V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 2.5V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-72 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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2N4012 | EXSHINE | silicon transistors UHF/VHF power transistors | Einzelheiten |
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2N4014 | Central Semiconductor Corp | TRANS NPN 50V TO-18 | Einzelheiten |
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2N4015 | Central Semiconductor Corp | TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 | Einzelheiten |
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2N4016 | Central Semiconductor Corp | TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 | Einzelheiten |
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2N4023 | EXSHINE | SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | Einzelheiten |
