NE68139-T1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NE68139-T1 |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
10V |
Frequenz - Übergang |
9GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
1.2dB ~ 2dB @ 1GHz |
Gewinnen |
13.5dB |
Leistung max |
200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
50 @ 7mA, 3V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
65mA |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-253-4, TO-253AA |
Lieferantengerätepaket |
SOT-143 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR NE68139-T1