NE678M04-A - CEL

Artikelnummer	NE678M04-A
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	6V
Frequenz - Übergang	12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.7dB @ 2GHz
Gewinnen	13.5dB
Leistung max	205mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	75 @ 30mA, 3V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-343F
Lieferantengerätepaket	SOT-343F
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NE67718-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Einzelheiten
NE67718-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Einzelheiten
NE67739-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	Einzelheiten
NE67739-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	Einzelheiten
NE677M04-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343F	Einzelheiten
NE677M04-T2	EXSHINE	NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	Einzelheiten
NE677M04-T2-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343F	Einzelheiten
NE67818-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Einzelheiten
NE67818-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-343	Einzelheiten
NE67839-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	Einzelheiten