VN2460N3-G-P014 - Microchip Technology

Artikelnummer	VN2460N3-G-P014
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	160mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	20 Ohm @ 100mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VN2460N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3	Einzelheiten
VN2460N3-G-P003	Microchip Technology	MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3	Einzelheiten
VN2460N3-G-P014	Microchip Technology	MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3	Einzelheiten
VN2460N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3	Einzelheiten