TP2535N3-G

TP2535N3-G - Microchip Technology

Artikelnummer
TP2535N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2867 pcs
Referenzpreis
USD 1.31/pcs
Unser Preis
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TP2535N3-G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TP2535N3-G
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 350V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 86mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 740mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 Ohm @ 100mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht -
Ursprungsland -

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