TP0610T-G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TP0610T-G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
120mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
60pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
360mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
10 Ohm @ 200mA, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
TO-236AB (SOT23) |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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