TP0604N3-G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TP0604N3-G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
430mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
150pF @ 20V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
740mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
2 Ohm @ 1A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-92-3 |
Paket / Fall |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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