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| Artikelnummer | TN0610N3-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 3V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 750mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TN0601L | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs | Einzelheiten |
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TN0604N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0604N3-G-P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0604N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0606N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0610N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0610N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0610N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 | Einzelheiten |
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TN0619000000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 6POS TOP ENT 4.57MM PCB | Einzelheiten |
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TN0619900000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 6P TOP ENTRY 4.5MM PCB | Einzelheiten |
