DN2450N8-G - Microchip Technology

Artikelnummer	DN2450N8-G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	230mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Verlustleistung (Max)	1.6W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 300mA, 0V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-243AA (SOT-89)
Paket / Fall	TO-243AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DN2450K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK	Einzelheiten
DN2450N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3	Einzelheiten
DN2470K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK	Einzelheiten