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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF8G24LS-200PNU
BLF8G24LS-200PNU

BLF8G24LS-200PNU - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF8G24LS-200PNU
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF8G24LS-200PNU PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF8G24LS-200PNU.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
230 pcs
Referenzpreis
USD 116.8447/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLF8G24LS-200PNU detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF8G24LS-200PNU
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz 2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinnen 17.2dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.74A
Leistung 60W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT539B
Lieferantengerätepaket SOT539B
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF8G20LS-140GVJ BLF8G20LS-140GVJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Einzelheiten
BLF8G20LS-140GVQ BLF8G20LS-140GVQ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Einzelheiten
BLF8G20LS-140VJ BLF8G20LS-140VJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Einzelheiten
BLF8G20LS-140VU BLF8G20LS-140VU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B Einzelheiten
BLF8G20LS-160VJ BLF8G20LS-160VJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B Einzelheiten
BLF8G20LS-160VU BLF8G20LS-160VU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B Einzelheiten
BLF8G20LS-200V BLF8G20LS-200V Ampleon USA Inc. RF FET Einzelheiten
BLF8G20LS-200V,112 BLF8G20LS-200V,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B Einzelheiten
BLF8G20LS-200V,115 BLF8G20LS-200V,115 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B Einzelheiten
BLF8G20LS-200V,118 BLF8G20LS-200V,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B Einzelheiten