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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF8G10LS-300PJ
BLF8G10LS-300PJ

BLF8G10LS-300PJ - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF8G10LS-300PJ
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF8G10LS-300PJ PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF8G10LS-300PJ.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
250 pcs
Referenzpreis
USD 106.3982/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLF8G10LS-300PJ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF8G10LS-300PJ
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz 760.5MHz ~ 800.5MHz
Gewinnen 20.5dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 2A
Leistung 65W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT539B
Lieferantengerätepaket SOT539B
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF8G09LS-270GWJ BLF8G09LS-270GWJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C Einzelheiten
BLF8G09LS-270GWQ BLF8G09LS-270GWQ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C Einzelheiten
BLF8G09LS-270WJ BLF8G09LS-270WJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B Einzelheiten
BLF8G09LS-270WU BLF8G09LS-270WU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B Einzelheiten
BLF8G09LS-400PGWJ BLF8G09LS-400PGWJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C Einzelheiten
BLF8G09LS-400PGWQ BLF8G09LS-400PGWQ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C Einzelheiten
BLF8G09LS-400PWJ BLF8G09LS-400PWJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B Einzelheiten
BLF8G09LS-400PWU BLF8G09LS-400PWU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B Einzelheiten
BLF8G10L-160,112 BLF8G10L-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A Einzelheiten
BLF8G10L-160,118 BLF8G10L-160,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A Einzelheiten