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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF6G27LS-40PGJ
BLF6G27LS-40PGJ

BLF6G27LS-40PGJ - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF6G27LS-40PGJ
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF6G27LS-40PGJ PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF6G27LS-40PGJ.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
402 pcs
Referenzpreis
USD 66.2806/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLF6G27LS-40PGJ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF6G27LS-40PGJ
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz 2.5GHz ~ 2.7GHz
Gewinnen 17.5dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 450mA
Leistung 12W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT-1121E
Lieferantengerätepaket SOT-1121E
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF6G05LS-200RN,11 BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Einzelheiten
BLF6G05LS-200RN:11 BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Einzelheiten
BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-135RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-160RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-200RN,112 BLF6G10-200RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10-45,135 BLF6G10-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Einzelheiten