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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF6G27L-50BN,112
BLF6G27L-50BN,112

BLF6G27L-50BN,112 - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF6G27L-50BN,112
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF6G27L-50BN,112 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF6G27L-50BN,112.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
345 pcs
Referenzpreis
USD 74.1312/pcs
Unser Preis
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BLF6G27L-50BN,112 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF6G27L-50BN,112
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS (Dual), Common Source
Frequenz 2.5GHz ~ 2.7GHz
Gewinnen 16.5dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 430mA
Leistung 3W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT-1112A
Lieferantengerätepaket CDFM6
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF6G20-110 BLF6G20-110 NXP BLF6G20-110 NXP SMD New Original Stocks Einzelheiten
BLF6G20-110,112 BLF6G20-110,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180PN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-180RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G20-230P BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A Einzelheiten
BLF6G20-230PRN,112 BLF6G20-230PRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G20-230PRN,118 BLF6G20-230PRN,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G20-40,112 BLF6G20-40,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G20-45,112 BLF6G20-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G20-45,135 BLF6G20-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A Einzelheiten