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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF6G22LS-100,112
BLF6G22LS-100,112

BLF6G22LS-100,112 - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF6G22LS-100,112
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF6G22LS-100,112 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF6G22LS-100,112.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
127 pcs
Referenzpreis
USD 83.03/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLF6G22LS-100,112 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF6G22LS-100,112
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinnen 18.2dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 29A
Rauschzahl -
Aktueller Test 950mA
Leistung 25W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT-502B
Lieferantengerätepaket SOT502B
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF6G20-110 BLF6G20-110 NXP BLF6G20-110 NXP SMD New Original Stocks Einzelheiten
BLF6G20-110,112 BLF6G20-110,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180PN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-180RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G20-230P BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A Einzelheiten
BLF6G20-230PRN,112 BLF6G20-230PRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G20-230PRN,118 BLF6G20-230PRN,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G20-40,112 BLF6G20-40,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G20-45,112 BLF6G20-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G20-45,135 BLF6G20-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A Einzelheiten