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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF6G21-10G,135
BLF6G21-10G,135

BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF6G21-10G,135
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF6G21-10G,135 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF6G21-10G,135.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
973 pcs
Referenzpreis
USD 26.9591/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLF6G21-10G,135 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF6G21-10G,135
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinnen 18.5dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 100mA
Leistung 700mW
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT-538A
Lieferantengerätepaket 2-CDIP
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BLF6G21-10G,135

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF6G05LS-200RN,11 BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Einzelheiten
BLF6G05LS-200RN:11 BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Einzelheiten
BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-135RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-160RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-200RN,112 BLF6G10-200RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10-45,135 BLF6G10-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Einzelheiten