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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF6G13LS-250PGJ
BLF6G13LS-250PGJ

BLF6G13LS-250PGJ - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF6G13LS-250PGJ
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF6G13LS-250PGJ PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF6G13LS-250PGJ.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
144 pcs
Referenzpreis
USD 185.0118/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BLF6G13LS-250PGJ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF6G13LS-250PGJ
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.3GHz
Gewinnen 17dB
Spannung - Test 50V
Aktuelle Bewertung -
Rauschzahl -
Aktueller Test 100mA
Leistung 250W
Spannung - Bewertet 100V
Paket / Fall SOT-1121E
Lieferantengerätepaket LDMOST
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-135RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-160RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-200RN,112 BLF6G10-200RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10-45,135 BLF6G10-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G10L-260PRN:11 BLF6G10L-260PRN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Einzelheiten