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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › BLF6G10LS-160RN:11
BLF6G10LS-160RN:11

BLF6G10LS-160RN:11 - Ampleon USA Inc.

Artikelnummer
BLF6G10LS-160RN:11
Hersteller
Ampleon USA Inc.
Kurze Beschreibung
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BLF6G10LS-160RN:11 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BLF6G10LS-160RN:11.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4178 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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BLF6G10LS-160RN:11 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BLF6G10LS-160RN:11
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 922.5MHz ~ 957.5MHz
Gewinnen 22.5dB
Spannung - Test 32V
Aktuelle Bewertung 39A
Rauschzahl -
Aktueller Test 1.2A
Leistung 32W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall SOT-502B
Lieferantengerätepaket SOT502B
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BLF6G10LS-160RN:11

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-135RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-160RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-200RN,112 BLF6G10-200RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Einzelheiten
BLF6G10-45,112 BLF6G10-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10-45,135 BLF6G10-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM,11 BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PBM:11 BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT1110A Einzelheiten
BLF6G10L-260PRN,11 BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G10L-260PRN:11 BLF6G10L-260PRN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Einzelheiten
BLF6G10L-40BRN,112 BLF6G10L-40BRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Einzelheiten