| Artikelnummer | SP20C-G202 U |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Druckart | Compound |
| Betriebsdruck | -14.22 PSI ~ 28.45 PSI (-98.07 kPa ~ 196.13 kPa) |
| Ausgabetyp | Wheatstone Bridge |
| Ausgabe | 60 mV ~ 140 mV |
| Richtigkeit | - |
| Spannungsversorgung | - |
| Anschlussgröße | Male - 0.12" (3mm) Tube |
| Hafen Stil | Barbless |
| Eigenschaften | - |
| Terminierungsstil | PC Pin |
| Maximaler Druck | -42.67 PSI ~ 85.34 PSI (-294.2 kPa ~ 588.4 kPa) |
| Betriebstemperatur | -20°C ~ 100°C |
| Paket / Fall | 6-DIP Module |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SP200 | Aries Electronics | PLUG SHORTING INSULATED BLACK | Einzelheiten |
 |
SP2003P | SPT | SP2003P SPT DIP New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SP200CT | SIPRX | SP200CT SIPRX SOP-20 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SP201 | LINFINIT | SP201 LINFINIT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SP20100R | SECOS | SP20100R SECOS TO-220.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SP20150 | SECOS | 20.0AMP Schottky Barrier Rectifiers | Einzelheiten |
|
SP20150R | SECOS | SP20150R SECOS TO-220.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SP202 | POLYFET | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
SP20200 | SECOS | 20.0 AMP Schottky Barrier Rectifiers | Einzelheiten |
|
SP20250 | SECOS | 20.0 AMP Schottky Barrier Rectifiers | Einzelheiten |
