| Artikelnummer | AOU4S60 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 56.8W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AOU1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251 | Einzelheiten |
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AOU2N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | Einzelheiten |
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AOU2N60A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | Einzelheiten |
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AOU2N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 | Einzelheiten |
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AOU3N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK | Einzelheiten |
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AOU3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK | Einzelheiten |
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AOU3N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK | Einzelheiten |
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AOU401 | AOS | AOU401 AOS TO-251 New Original Stocks | Einzelheiten |
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AOU402 | AOS | AOU402 AOS TO-251 New Original Stocks | Einzelheiten |
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AOU403 | AOS | AOU403 AOS T0-251 New Original Stocks | Einzelheiten |
