Artikelnummer | AOT410L |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 150A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 7V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 129nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.9W (Ta), 333W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |