| Artikelnummer | AON6448L |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 65A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 40V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN-EP (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AON1605 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
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AON1605_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
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AON1606 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
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AON1606_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN | Einzelheiten |
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AON1610 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN | Einzelheiten |
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AON1611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN | Einzelheiten |
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AON1620 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN | Einzelheiten |
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AON1634 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 4A 6DFN | Einzelheiten |
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AON2240 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN | Einzelheiten |
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AON2260 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B | Einzelheiten |
